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2025/04/23
江崎玲於奈の人生は、 未踏の地での挑戦の連続でした。
大学卒業後、川西機械製作所に入社し研究生活に入ります。1956年には東京通信工業（現、ソニー）に移り、逆耐電圧の低いpn接合ダイオードの研究を開始。1957年夏、トンネルダイオードの発明にいたりました。
1960年に、アメリカのIBMワトソン中央研究所に移り、人工超格子結晶概念を提起。多面的な研究を通じて、これを半導体分野の基本的な概念となるまでに発展させました。そして1973年「半導体におけるトンネル現象の実験的発見」によりノーベル物理学賞、翌1974年には文化勲章、1998年には日本国際賞を受けました。
いつも歩く道を離れ、未踏の森に飛び込み、新しいものを探れ。
「半導体におけるトンネル現象の実験的発見」によりノーベル物理学賞を受賞することになった江崎ですが、トンネル現象の発見のきっかけは製品の不良品解析において、偶然トンネル効果を持つトランジスタ（製品としては使い物にならない）が見つかったことでした。 江崎の言うように、いつもの道をそれて、未踏の場所を探索すると、新しい思わぬ発見があるかもしれません。いつまでも、より良いもの・新しいものを求めて探索したいものです。
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